半导体制造业空气污染管制及排放标准｜第 2 条｜大气环境｜法规｜生效中
环境部｜v1.0
最后修订: 2023-05-04
本标准用词及符号，定义如下： 一、半导体制造业：指从事集成电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。 二、集成电路晶圆制造作业（Wafer Fabrication）：指将各种规格晶圆生产各种用途之晶圆之作业，包括经由物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）、光阻、微影（Photolithography）、蚀刻（Etching）、扩散、离子植入（Ion Implantation）、氧化与热处理等制程。 三、集成电路晶圆封装作业（Wafer Package）：指将制造完成之各种用途之晶圆生产成为半导体产品之作业，包括经由切割成片状的晶粒（Dice），再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。 四、光阻剂：指实施集成电路晶圆制造之选择蚀刻时，所需耐酸性之感光剂。 五、光阻制程：指晶圆经过光阻剂的涂布、曝光、显像，使晶圆上形成各类型电路的制程。 六、挥发性有机物：指在一大气压下，测量所得初始沸点在摄氏二百五十度以下有机化合物之空气污染物总称。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、二硫化碳、碳酸、碳酸盐、碳酸铵、氰化物及硫氰化物等化合物。 七、密闭集气系统：指可将制程、污染源或设备组件排出或逸散出之空气污染物，捕集并使发送之气体不直接与大气接触之系统。该系统包括集气设备、管线及连接设备。 八、排放削减率：指空气污染物经污染防制设备处理后之排放量削减百分比，依同步监测或检测污染防制设备前端及后端废气浓度及排放量进行计算，其计算公式如下： 九、既存制程：指本标准发布施行日前已建造完成、建造中、已完成工程招标进程或未经招标进程已订立工程施作契约之半导体制造业制程。 十、新设制程：指本标准发布施行日起设立之半导体制程，及既存半导体制程符合固定污染源设置操作及燃料使用许可证管理办法规定之变更条件者。 十一、挥发性有机物原（物）料年用量：指单一公私场所属第一款所列对象，其所有固定污染源操作许可证登载之各项原（物）料许可核定最大设计量乘以各该项原（物）料挥发性有机物成分百分比后之加总；其单位为公吨／年。 十二、工厂总排放量：指同一厂场周界内每小时所有排放管道排放单一空气污染物之总和；单位为kg／hr。 十三、每季有效监测率：（每季污染源操作小时数-每季污染源操作期间流量计或浓度监测器失效小时数）／每季污染源操作小时数。 十四、流量计：任何可直接或间接测得废气排放体积流量之设施。